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論文

XPS and XANES observations on non-stoichiometric SiN$$_{x}$$ produced by low-energy ion implantation

Ali, M.; 馬場 祐治; 関口 哲弘; Li, Y.; 山本 博之

Photon Factory Activity Report 1998, P. 36, 1999/11

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199923003+00066

シリコン単結晶に低エネルギー窒素イオンを注入し、表面に生成したSiN$$_{x}$$(0$$<$$x$$<$$4/3)層の電子構造をX線光電子分光法(XPS)及びX線吸収端微細構造法(XANES)により測定した。Si 1sのXPSスペクトルによると、窒素注入量が10$$^{17}$$atoms/cm$$^{2}$$のオーダーでは、中間組成をもつSi$$_{3}$$N$$_{x}$$(x=1,2,3)がいったん生成するが、10$$^{18}$$atoms/cm$$^{2}$$以上では、化学量論組成をもつSi$$_{3}$$N$$_{4}$$層に移行する。しかし、XPSより深い領域の電子構造を反映する電子収量法によるSi K-吸収端のXANESスペクトルでは、この物質層にも依然として非化学量論組成をもつSi$$_{3}$$N$$_{x}$$(x=1,2,3)が含まれていることがわかった。注入後の試料を800Kまでアニールすることにより、これらの中間層は消え、完全にSi$$_{3}$$N$$_{4}$$層に変化することが明らかとなった。

報告書

Data Compilation for Depth Distribution of Ion-Induced Damage and Ion-Implanted Atoms

寺澤 倫孝*; 中東 重雄*; 小沢 国夫

JAERI-M 84-092, 144 Pages, 1984/05

JAERI-M-84-092.pdf:2.61MB

イオン注入及び加速器イオン照射による中性子効果のシュミレーションなど固体へのイオン衝撃に関連して、固体中でのイオン飛程及び照射損傷の深さ分布などのデータベースが要求されている。本レポートでは、現在近述表されたイオン照射損傷(スエリング及び欠益又はクラスター)の深さ分布及び飛程、ストラグリングの実験データを可能な限り広範囲に収集し、E-DEP-1計算コードによる理論計算との比較を行った。データーベースとの比較でLSS理論の電子阻止能パラメータRLSSに対する補正係数(0.8~0.9)の議論と表かが得ている。尚Appendixとして、ぼいどすえりんぐ、点欠陥とそのクラスター及び注入イオンに関する図表とその文献がリストアップされている。

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